IPI04CN10N G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：210nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 50V功率 - 最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
